Transporte Eletrônico no Semicondutor Carbeto de Silício na Fase 3C
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Neste trabalho estudamos teoricamente a mobilidade eletrônica do semicondutor carbeto de silício na fase 3C, chamado 3C-SiC. O 3C-SiC tem mostrado uma grande potencialidade para aplicações em condições extremas. Assim o estudo da deste é interesse. foi deduzido velocidade deriva, deslocamento e dos portadores carga no dopado tipo n submetido um campo elétrico constante sendo analisada dependência destas propriedades com intensidade temperatura. Para tanto, utilizada equação diferencial movimento termo fonte (devido campos elétricos) resistência ao (resistência elétrica).
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ژورنال
عنوان ژورنال: RCT: Revista de Ciência e Tecnologia
سال: 2022
ISSN: ['2447-7028']
DOI: https://doi.org/10.18227/2447-7028rct.v8i06430